Unsere Kollegen aus der Abteilung Materialien am Fraunhofer IISB haben einen Aluminiumnitrid (AlN)-Kristall mit 43 mm Durchmesser in technologierelevanter Qualität gezüchtet.
Für unser Institut ist dieses Ergebnis ein wesentlicher Schritt zum Erreichen eines wichtigen Meilensteins innerhalb des vom BMBF geförderten Projekts Leitban: Bis Ende 2022 demonstriert das IISB einen AlN-Kristall mit 2 Zoll Durchmesser und liefert 2-Zoll-AlN-Wafer an das Projekt-Konsortium.
Dieser Erfolg wurde durch die BMBF-Initiative zur Forschungsfabrik Mikroelektronik Deutschland (FMD) möglich.
Die Verfügbarkeit von AlN-Kristallen bzw. AlN-Wafern in ausreichender Größe und Qualität ist der Schlüssel für die Herstellung hochleistungsfähiger elektronischer Bauelemente auf AlN-Basis.
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